薄膜結晶成長、結晶評価

Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体多元薄膜の分子線エピタキシー成長と評価、ダイヤモンド結晶の物性評価

半導体と聞くと難しいイメージがあるかもしれませんが、その内容は電気電子工学の他の分野より単純です。特に、電気電子材料を創るという研究では、皆さんが日常生活しているのと類似した事柄が色々あります。例えば、人混みの中では人は敏速に進むことができませんが、これは、半導体の中の不純物を減らすことや原子を整列させることを行えば電子の移動速度が速くなり、高速演算用材料に結びつくというようなようなことと似ています。他にも色々あります。私が趣味にしている吹奏楽と工学との関係もその一つです。詳しくはお会いしたときに．．．

当研究室ではデバイス応用を目指した機能半導体材料に関し研究を行っている。用いている材料作製装置は、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）というもので、原子レベルで結晶膜厚を制御することが可能である。今までに、Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体結晶成長の基礎であるＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板、また、ＡｌＧａＡｓ表面のための新しいクリーニング法の開発に成功し、「Asなし高温表面クリーニング法」、「Ｐなし表面クリーニング法」と命名した。現在は、究極の量子材料である量子ドット（ＱＤ）に関し研究を進めている。また、ダイヤモンド表面の原子・分子の結合状態の分析も行っている。

○多元化合物半導体研究装置 結晶成長装置　 （ＭＢＥ32Ｐ−ＮＩＴ） リベール
○多元化合物半導体研究装置
　 元素結合分析装置　 （1600Ｓ特型） アルバック・ファイ
○多元化合物半導体研究装置
　 微細構造評価装置 （ＵＳＭ−904Ｓ） ユニソク
○多元化合物半導体研究装置
　 結晶成長in-situ観察装置　 （ＵＶＩＳＥＬ） ジョバン・イボン
○多元化合物半導体研究装置
　 試料搬送および前処理機構　 （特型） リベール
○高周波スパッタ装置 （ＳＰＦ−210Ｂ） 日電アネルバ
○ソースメジャーユニット （236型） ケースレー
○ターボ分子ポンプ（Ｖ70ＬＰ） バリアン