半導体ナノテクノロジー研究室では、GaAs、InAs、InPなどのⅢ－Ⅴ族化合物半導体の分子線エピタキシー(MBE)成長の研究を行っています。

まず一つは、InAs量子ドットの位置制御の研究です。量子ドットとは、数十nm程度の微結晶を人工的に3次元に閉じ込めた構造で、これを規則正しく形成することができれば、電流を流さなくても情報のやり取りができる全く新しい集積回路が実現できます。

これ以外にも、MBE法を用いると様々な成分や構造の半導体材料を作ることができるので、サファイヤやダイヤモンド基板上へのGaAs薄膜の成長の研究も行っています。良好なGaAs薄膜が成長できれば、各種LEDや高電子移動度トランジスタ(HEMT)なども製作することが可能となります。